DRAM Read Burst Timing

DRAM Read Burst Timing - Дозволяет сориентировать задержки при пакетном чтении данных из памяти. Для 60 ns памяти EDO традиционно используются задержки х222 (численность тактов для главного обращения, естественно, тут никак не указывается, за него отвечает функция DRAM R/W Leadoff Timing), для 70 ns памяти EDO — x333. Для FPM 60 ns — x333, для FPM 70 ns — x444. Разрешено попробовать чуть-чуть убавить применяемые задержки, однако, как правило, при этом снижается устойчивость работы персонального компьютера.

Пакетное чтение дозволяет приметно убыстрить приобретение данных, находящихся в последующих друг за другом 4 ячейках памяти. В 1 фазе (всего их 4) проистекает обычная операция обращения к ячейке памяти. Последующие 3 фазы — приобретение этих из 3-х последующих ячеек. Подобно происходит и пакетная запись.

DRAM Read Burst тоже относится к данной опции.